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基于国产POI衬底的高性能T.F.SAW滤波器及射频模组项目-审批信息

基于国产POI衬底的高性能T.F.SAW滤波器及射频模组项目-审批信息

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信息时间:
2025-06-27
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工程代码 ZHC******66 中央代码 2506-350205-06-04-851691
项目名称 基于国产POI衬底的高性能T.F.SAW滤波器及射频模组项目
项目(法人)单位 ******有限公司 建设性质 新建
建设详细地址 厦门市海沧区钟林里318号Hui园大厦20楼
主要建设内容及规模 项目位于海沧区钟林里318号Hui园大厦20楼,建筑面积1918.0平方米,用地面积1382.0平方米, 项目位于厦门市海沧区钟林里318号Hui园大厦2楼,建筑面积1918平方米, 用地面积1382平方米, 为完成基于国产POI衬底的高性能T.F.SAW滤波器及射频模组项目,该项目仅用于研发设计,没有生产,总投资1800万元人民币,其中设备费25万元,用于采购多端口网络分析仪1台。其他费用1775万元用于流片费,测试费,人员费等。项目期设计研发3款产品, 1)对各种不同物理结构的谐振器进行二维、三维有限元仿真,再由实验结果得到其相应的电性能结果,以此研究谐振器物理结构对谐振器性能的作用效果 2)开发快速、精确的POI滤波器设计平台,仿真小信号、功率耐受性、温度漂移等多项指标。国内缺少设计POI-SAW滤波器的平台,本项目完全自主独立开发,可在短时间正向仿真设计多个频段的滤波器及更复杂的双工器、多工器 3)为了满足对Q值和带外抑制的需求,研究一种基于新型POI结构谐振器的设计方法。通过旋转谐振器、将相邻IDT(Inter-digital transducer)倾斜错开,改变波的传播角度,进一步提升器件性能如Q值、纹波抑制等,设计出3款性能指标如下的产品 1)Band 8 双工器: 带内插损Tx≤1.4dB,Rx≤1.8dB,Tx和Rx隔离度≥55dB,耐受功率≥31dBm 2)Band 1+3 四工器:带内插损B1Tx≤1.5dB,B3Tx≤1.7dB,B1Rx≤1.5dB,B3Rx≤2.1dB,Tx和Rx隔离度≥55dB,耐受功率≥31dBm 3)Band 41 TRx滤波器:带内插损≤2.1dB,2400-2462MHz抑制度≥35dB,耐受功率≥32dBm
项目总投资(万元) 1800(其中土建投资:0,其他投资:1775,设备及技术投资:25,进口设备、技术用汇: 0)
拟开工时间 2025-06 拟建成时间 2027-12
符合产业政策的申明 我公司已确认,所备案项目不属于《外商投资产业指导目录》中的限制类或禁止类项目,不属于我市核准目录中应办理核准的项目。特此声明。
补充说明
备案号 厦海科工商外备〔2025〕81号 备案日期 2025-06-27
备案机关 厦门市海沧区科技和工信商务局 备案事项 县级权限内企业境内投资项目备案
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